Name: Placa de Expansión de Memoria Bling Bling FRAM I2C 32 KB MB85RC256V
Brand: Bling Bling
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<ul><li>Características</li><li>1.FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces. </li><li>2. Es similar a la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. </li><li>3. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable. </li><li>4. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz. </li><li>5.Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.</li><li>Características: </li><li>FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces.</li><li>Es similar a Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica.</li><li>Es particularmente adecuada para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable.</li><li>La El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz.</li><li>Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.</li><li></li><li>Especificación:</li><li>Condición : 100% nuevo</li><li>Dirección: 1010+A2+A1+A0</li><li>Predeterminado: 0 x 50</li><li>VCC/Lógica: 2.7-5.5V</li><li></li><li>Lista de paquetes:</li><li>1 x placa de conexión FRAM</li></ul>

Condición

País de Origen

Ancho del Producto Ensamblado

Contiene sustancias químicas

Contiene gas comprimido (aerosol)

Peso del Producto Ensamblado

Contenido del Empaque

Longitud del Producto Ensamblado

Altura del Producto Ensamblado

Marca

Características$$1.FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces. $$2. Es similar a la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. $$3. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable. $$4. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz. $$5.Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.$$Características: $$FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces.$$Es similar a Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica.$$Es particularmente adecuada para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable.$$La El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz.$$Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.$$$$Especificación:$$Condición : 100% nuevo$$Dirección: 1010+A2+A1+A0$$Predeterminado: 0 x 50$$VCC/Lógica: 2.7-5.5V$$$$Lista de paquetes:$$1 x placa de conexión FRAM

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