Name: Memoria Bling Bling MRV MB85RC256V Placa de expansión de memoria FRAM I2C 32 KB
Brand: Bling Bling
SKU: 00067934792522
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<ul><li>Características</li><li>1.FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces. </li><li>2. Es similar a la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. </li><li>3. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable. </li><li>4. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz. </li><li>5.Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.</li><li>Características: </li><li>FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces.</li><li>Es similar a Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica.</li><li>Es particularmente adecuada para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable.</li><li>La El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz.</li><li>Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.</li><li></li><li>Especificación:</li><li>Condición : 100% nuevo</li><li>Dirección: 1010+A2+A1+A0</li><li>Predeterminado: 0 x 50</li><li>VCC/Lógica: 2.7-5.5V</li><li></li><li>Lista de paquetes:</li><li>1 x placa de conexión FRAM</li></ul>

Cantidad de Piezas

País de Origen

Contiene sustancias químicas

Tipo de Pieza de Repuesto para Computadora

Contiene gas comprimido (aerosol)

Peso del Producto Ensamblado

Contenido del Empaque

Longitud del Producto Ensamblado

Condición

Número de Piezas

Talla

Ancho del Producto Ensamblado

Accesorio

Número de Modelo

Altura del Producto Ensamblado

Marca

Características$$1.FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces. $$2. Es similar a la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. $$3. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable. $$4. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz. $$5.Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.$$Características: $$FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces.$$Es similar a Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), solo que con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica.$$Es particularmente adecuada para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en ausencia de una fuente de voltaje estable.$$La El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz.$$Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.$$$$Especificación:$$Condición : 100% nuevo$$Dirección: 1010+A2+A1+A0$$Predeterminado: 0 x 50$$VCC/Lógica: 2.7-5.5V$$$$Lista de paquetes:$$1 x placa de conexión FRAM

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